В Южной Корее создана первая в мире прозрачная микросхема памяти, сообщила группа ученых из Корейского института науки и технологий (KAIST) в журнале Applied Physics Letters.

Свою разработку исследователи назвали "прозрачной резистивной памятью с произвольной выборкой" (transparent resistive random access memory, TRRAM), указывает "Компьюлента".



Технологически новые чипы во многом повторяют недавно разработанные образцы резистивной памяти с произвольной выборкой (RRAM), которую изготавливают с применением прозрачных металлооксидных материалов. Корейским ученым оставалось лишь отыскать подходящие прозрачные электроды и подложку и создать на этой основе микросхему.

Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия оказался равен 0,81. "Мы открыли новый этап в развитии светопроницаемой электроники", — заявляет Джун Вон Сео, ведущий автор работы.

По словам ученых, до появления прозрачных микросхем на рынке осталось всего три-четыре года. Цена на подобную электронику не должна быть слишком высокой, поскольку в качестве подложки и электродов можно использовать практически любые прозрачные материалы.

16 декабря 2008 г.
Источник